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| 公司名称： |
大芯超导电子有限公司 |
公司类型： |
企业单位 () |
| 所在地区： |
广东/深圳市 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2012 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 ￥0.00 元 |
| 经营范围： |
Wolfspeed-CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代，ON安森美碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅MOSFET模块国产替代，英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代，英飞凌混合SiC三电平替代，Vincotech三电平IGBT模块国产替代，ON安森三电平IGBT模块国产替代，I型NPC1三电平IGBT模块，T型NPC2三电平IGBT模块,英飞凌IGBT模块国产替代 |
| 销售产品： |
英飞凌IGBT单管国产替代，英飞凌IGBT模块国产替代，三电平模块，Hybrid SiC Module，混合IGBT模块，混合碳化硅功率模块，英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代，62mm Hybrid SiC Module，混合型SiC模块，混合SiC模块，功率半导体，BGH75N65HF1，IGBT 混合型SiC模块，Vincotech IGBT模块国产替代，EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module，三菱IPM模块国产替代 |
| 采购产品： |
基本半导体，储能变流器碳化硅MOSFET,光伏逆变器IGBT,SiC MOSFET，分立IGBT,混合IGBT模块,混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，混合IGBT单管，国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，国产TO263-7碳化硅MOSFE |
| 主营行业： |
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